金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“公开号CN117878094A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种半导体器件可以包括：限定沟槽的各部分的第一膜和第二膜、插塞导电膜、通路、以及位于所述沟槽中的布线。所述神经网络。
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金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“用于动态三维空间的二维场景重建的设备和方法“公开号CN117876214A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示，一种电子设备，由多个特征提取模型从点信息和时间信息中提取多个特征数据，基于多个神经网络。
jin rong jie 2 0 2 4 nian 4 yue 1 2 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， san xing dian zi zhu shi hui she shen qing yi xiang ming wei “ yong yu dong tai san wei kong jian de er wei chang jing zhong jian de she bei he fang fa “ gong kai hao C N 1 1 7 8 7 6 2 1 4 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 3 nian 6 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， yi zhong dian zi she bei ， you duo ge te zheng ti qu mo xing cong dian xin xi he shi jian xin xi zhong ti qu duo ge te zheng shu ju ， ji yu duo ge shen jing wang luo 。
金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“用于制造具有改善的套刻测量精度的半导体器件的方法“公开号CN117877976A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成台阶键；在台阶键上形成覆等我继续说。
金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储装置及包括其的电子系统“公开号CN117881191A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本发明提供了一种半导体存储装置和电子系统，半导体存储装置包括：衬底，衬底包括第一区域和第二好了吧！
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金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“公开号CN117878120A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，半导体装置包括：衬底；在衬底上在第一水平方向上延伸的第一有源图案和第二有源图案；分别在第一有源图案和第二有源图案后面会介绍。
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金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“的专利，公开号CN117878118A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种半导体装置包括：第一下纳米片；在第一下纳米片上的上隔离层；在上隔离层上的第一上纳米片；在第一上纳米片上等我继续说。
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金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“公开号CN117878136A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括上表面和与所述上表面相反的下表面；有源图案，所述有源图案设置在所述衬底的上后面会介绍。
金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储器件及包括其的电子系统“公开号CN117881193A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种半导体存储器件包括：单元基板；顺序地堆叠在所述单元基板上并且在第一方向上延伸的多个后面会介绍。
金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“存储器系统和对接收的字进行解码的计算机实现的方法“公开号CN117877564A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，公开了存储器系统和对接收的字进行解码的计算机实现的方法。一种软决策解等会说。
金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“包括具有图案的金属层的标准单元的集成电路及其制造方法“公开号CN117878114A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，一种包括标准单元的集成电路，该标准单元包括：金属层，包括沿第一水平方向等我继续说。
